OEM MOSFET 다이오드 트랜지스터 칩 IC SQP90P06-07L-GE3
범주:
다이오드 트랜지스터
결제 방법:
L/C, T/T, 웨스턴 유니온, 머니그램, 팬플라이
상술
설명/팩:
MOSFET Ｐ Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101은 자격을 주었습니다
모델 번호:
SQP90P06-07L-GE3
보증:
360일
품질:
100% 오리지널 100% 브랜드
배송 기한:
중국 포스트/DHL/FEDEX/UPS/TNT/DPEX/KAS
설명:
BOM 목록 인용
리드타임:
3 일로 일합니다
ROHS:
예
상태:
다이오드
하이 라이트:
MOSFET 다이오드 트랜지스터
,OEM 다이오드 트랜지스터
,MOSFET 트랜지스터 칩
소개
MOSFET SQP90P06-07L-GE3 칩 다이오드 트랜지스터 칩 IC
제품 설명
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 인증
제품 특성
| 제조업체: | 비쉐이 |
| 제품 카테고리: | MOSFET |
| 기술: | 시 |
| 장착 스타일: | 구멍을 통해 |
| 패키지/케이스: | TO-220-3 |
| 트랜지스터 극성: | P채널 |
| 채널 수: | 1 채널 |
| Vds - 드레인 소스 항복 전압: | 60V |
| Id - 연속 드레인 전류: | 120A |
| Rds On - 드레인 소스 저항: | 5.6m옴 |
| Vgs - 게이트 소스 전압: | - 20V, +20V |
| Vgs th - 게이트 소스 임계 전압: | 2.5V |
| Qg - 게이트 차지: | 270nC |
| 최소 작동 온도: | - 55℃ |
| 최대 작동 온도: | + 175C |
| Pd - 전력 손실: | 300W |
| 채널 모드: | 상승 |
| 자격: | AEC-Q101 |
| 상표명: | TrenchFET |
| 포장: | 튜브 |
| 상표: | 비쉐이 반도체 |
| 구성: | 하나의 |
| 낙하 시간: | 32ns |
| 순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: | 90초 |
| 상품 유형: | MOSFET |
| 상승 시간: | 23ns |
| 시리즈: | 제곱 |
| 공장 팩 수량: | 500 |
| 하위 범주: | MOSFET |
| 트랜지스터 유형: | P채널 1개 |
| 일반적인 끄기 지연 시간: | 97ns |
| 일반적인 켜기 지연 시간: | 15ns |
| 단위 무게: | 2g |
자주하는 질문
1. 우리는 누구인가?
JIALIXIN은 2010년에 설립되었으며 BOM Kitting 서비스를 제공한 10년의 경험을 포함하여 전자 부품을 공급한 경험이 12년입니다.
2. 품질을 어떻게 보장할 수 있습니까?
우리 회사에는 특별한 QC 부서가 있으며 테스트 할 전문 테스트 기계가 있습니다.우리는 당신의 사진을 찍고 선적하기 전에 고객에게 문서를 보낼 것입니다.당사의 상품은 모두 대리점 또는 원본 소스이며 배송 전에 확인됩니다.
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MOQ:
100pcs