N 채널 MOSFET 드라이버 칩 IRF7329TRPBF SMD SMT
범주:
다이오드 트랜지스터
결제 방법:
L/C, T/T, 웨스턴 유니온, 머니그램, 팬플라이
상술
기술 / 팩:
MOSFET MOSFT 듀얼 피치 -12V 9.2A
모델 번호:
IRF7329TRPBF
보증:
180일
품질:
100% 오리지널 100% 브랜드
배송 기한:
중국 포스트/DHL/FEDEX/UPS/TNT/DPEX/KAS
설명:
BOM 목록 인용
리드타임:
1-3일
ROHS:
예
상태:
MOSFET
하이 라이트:
SMT mosfet 드라이버 칩
,SMD mosfet 드라이버 칩
,IRF7329TRPBF
소개
MOSFET IRF7329TRPBF 칩 다이오드 트랜지스터 집적 회로
제품 설명
MOSFET MOSFET 듀얼 PCh -12V 9.2A
제품 특성
| 제조업체: | 온세미 |
| 제품 카테고리: | MOSFET |
| 기술: | 시 |
| 장착 스타일: | SMD/SMT |
| 패키지/케이스: | SOT-323-6 |
| 트랜지스터 극성: | N채널, P채널 |
| 채널 수: | 2채널 |
| Vds - 드레인 소스 항복 전압: | 25V |
| 제조업체: | 인피니언 |
| 제품 카테고리: | MOSFET |
| 기술: | 시 |
| 장착 스타일: | SMD/SMT |
| 패키지/케이스: | SOIC-8 |
| 트랜지스터 극성: | P채널 |
| 채널 수: | 2채널 |
| Vds - 드레인 소스 항복 전압: | 12V |
| Id - 연속 드레인 전류: | 9.2A |
| Rds On - 드레인 소스 저항: | 17m옴 |
| Vgs - 게이트 소스 전압: | - 8V, +8V |
| Vgs th - 게이트 소스 임계 전압: | 900mV |
| Qg - 게이트 차지: | 57nC |
| 최소 작동 온도: | - 55℃ |
| 최대 작동 온도: | + 150℃ |
| Pd - 전력 손실: | 2W |
| 채널 모드: | 상승 |
| 포장: | 릴 |
| 포장: | 컷 테이프 |
| 포장: | 마우스릴 |
| 상표: | 인피니언 테크놀로지스 |
| 구성: | 듀얼 |
| 낙하 시간: | 260ns |
| 순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: | 25초 |
| 키: | 1.75mm |
| 길이: | 4.9mm |
| 상품 유형: | MOSFET |
| 상승 시간: | 8.6ns |
| 하위 범주: | MOSFET |
| 트랜지스터 유형: | 2P 채널 |
| 너비: | 3.9mm |
| 부품 번호 별칭: | IRF7329TRPBF SP001566104 |
자주하는 질문
1. 우리는 누구인가?
JIALIXIN은 2010년에 설립되었으며 BOM Kitting 서비스를 제공한 10년의 경험을 포함하여 전자 부품을 공급한 경험이 12년입니다.
2. 품질을 어떻게 보장할 수 있습니까?
우리 회사에는 특별한 QC 부서가 있으며 테스트 할 전문 테스트 기계가 있습니다.우리는 당신의 사진을 찍고 선적하기 전에 고객에게 문서를 보낼 것입니다.당사의 상품은 모두 대리점 또는 원본 소스이며 배송 전에 확인됩니다.
3. BOM 리스팅 서비스를 제공합니까?
예, 저희에게 연락하여 BOM을 보내주시면 최고의 가격을 확인하겠습니다. JIALIXIN은 BOM Kitting 서비스를 제공하는 10년 경험을 가지고 있습니다.
4. 다른 공급업체가 아닌 당사에서 구매해야 하는 이유는 무엇입니까?
1) 스팟 이점, 긴급하게 필요한 자재의 요구를 충족시킬 수 있는 창고가 있습니다.
2) 에이전시 이점, 우리는 공인 에이전트와 협력합니다.일부 장기 수요 자재의 경우 신청 목표 가격을 보내 주시면 에이전트와 협상하여 주문을 처리할 수 있습니다.
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MOQ:
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